| Spezifikationen |
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| Grunddaten | Englische Einheiten | SI-Einheiten | |
|---|
| Empfindlichkeit (±5 %) | 100 mV/g | 10,2 mV/(m/s²) | |
| Messbereich | ±50 g pk | ±491 m/s² pk | |
| Frequenzbereich (±5 %) | 0,4 … 10.000 Hz | |
| Resonanzfrequenz | ≥25.000 Hz | |
| Breitbandauflösung (1 … 10.000 Hz) | 0,0003 g rms | 0,003 m/s² rms | [1] |
| Linearitätsfehler | ≤1 % | [3] |
| Querbeschleunigungsempfindlichkeit | ≤5 % | |
TEDS-Speicherchip
(gemäß IEEE P1451.4) | Ja | [2] |
| Einsatzbedingungen |
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| Überlastlimit (Schock) | ±5.000 g pk | ±49.050 m/s² pk | |
| Temperaturbereich (Betrieb) | -65 … 200 °F | -54 … 93 °C | |
| Dehnungsempfindlichkeit (Basisfläche) | 0,003 g/µε | 0,03 (m/s²)/µε | [1] |
| Technische Eigenschaften |
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| Versorgungsspannung | 24 … 30 VDC | |
| Konstantstromversorgung | 2 … 20 mA | |
| Ausgangsimpedanz | ≤100 Ω | |
| Bias-Spannung | 8 … 12 VDC | |
| Entladezeitkonstante | 1 … 3 s | |
| Einschwingzeit (auf Bereich innerhalb ±10% der Bias-Spannung) | <3 s | |
| Spektrales Rauschen (1 Hz) | 55 µg/√Hz | 540 (µm/s²)/√Hz | [1] |
| Spektrales Rauschen (10 Hz) | 15 µg/√Hz | 147 (µm/s²)/√Hz | [1] |
| Spektrales Rauschen (100 Hz) | 6 µg/√Hz | 59 (µm/s²)/√Hz | [1] |
| Spektrales Rauschen (1.000 Hz) | 3 µg/√Hz | 29 (µm/s²)/√Hz | [1] |
| Spektrales Rauschen (10.000 Hz) | 2 µg/√Hz | 20 (µm/s²)/√Hz | [1] |
| Elektrische Isolierung (Gehäuse) | >100 MΩ | |
| Physische Eigenschaften |
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| Sensorelement | Keramik | |
| Geometrie des Sensorelements | Scherprinzip | |
| Gehäusematerial | Titan | |
| Abdichtung | Hermetisch dicht | |
| Größe - Höhe | 0,38 in | 9,7 mm | |
| Größe - Länge | 0,82 in | 20,7 mm | |
| Größe - Breite | 0,82 in | 20,7 mm | |
| Masse | 0,51 oz | 14,5 Gramm | [1] |
| Elektrischer Anschluss | 1/4"-28 4-Pin | |
| Anschlussposition | Seitlich | |
| Mounting Screw | 6-32 | |
[4]
